摘要：金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶体管及其形成方法、半导体器件“授权公告号CN108511518B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。由于晶体管的栅极介质层在不同区域好了吧！
...金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶体管及其形成方法、半导体器件“授权公告号CN108511518B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。由于晶体管的栅极介质层在不同区域好了吧！
金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“晶体管结构及其制造方法“授权公告号CN110957358B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示，本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法，包括：在衬底上形成鳍；在鳍上形成栅极介电堆叠神经网络。
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jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 8 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， tai wan ji ti dian lu zhi zao gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ jing ti guan jie gou ji qi zhi zao fang fa “ shou quan gong gao hao C N 1 1 0 9 5 7 3 5 8 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 9 nian 9 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming shi shi li she ji yi zhong jing ti guan jie gou zhi zao fang fa ， bao kuo ： zai chen di shang xing cheng qi ； zai qi shang xing cheng zha ji jie dian dui die shen jing wang luo 。
金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“串行栅极晶体管和包括该晶体管的非易失性存储器设备“公开号CN117545276A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本公开提供了串行栅极晶体管和包括串行栅极晶体管的非易失性存储器设备。在是什么。
第一沟槽用以隔离PMOS晶体管，第二沟槽用以隔离NMOS晶体管，热氧化层形成于第一沟槽及第二沟槽的侧壁及底部，内衬层形成于第一沟槽的热氧化层的表面，且第一沟槽底部的内衬层被去除，以显露第一沟槽底部的热氧化层，填充层填充于第二沟槽内，介质层填充于第一沟槽中。本发明将是什么。
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金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，浙江华康药业股份有限公司申请一项名为“一种高粒度防结块的木糖晶体的制备方法“公开号CN117512228A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明涉及一种高粒度防结块的木糖晶体的制备方法，包括煮糖工艺、降温结晶工艺神经网络。
金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管及显示面板“公开号CN117546302A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示，本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管，该金属氧化物薄膜晶体管包括：设置在衬神经网络。
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，北京通美晶体技术股份有限公司申请一项名为“一种磷化铟晶体生产装置及其使用方法“公开号CN117535797A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种磷化铟晶体生产装置及其使用方法，属于半导体材料技术领域说完了。
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苹果公司申请一项名为“鳍式场效晶体管技术中的半导体布局“公开号CN117542895A,申请日期为2018年7月。专利摘要显示，本公开涉及鳍式场效晶体管技术中的半导体布局。描述了用于将单元放置在集成电路中的系统、装置和方是什么。
并且导热平板的下方两侧分别设置有轴承式蒸汽入口和轴承式蒸汽出口，所述轴承式蒸汽入口和轴承式蒸汽出口包括轴承端头，并且轴承端头内壁均固定连接有主管。运用恒温的高温蒸汽进入到列式分布管中对导热平板加热，能够避免直接用高温装置所释放的温度不可控对多糖晶体造成结是什么。
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本发明的分子束外延生长台能够直接应用于真空分子外延生长设备中生长半导体晶体，供电支架为表面波发生基底以无线射频形式提供设定频率的交流电信号，在分子外延生长的过程中原位产生声表面波，从而实现声表面波辅助的半导体晶体的分子束外延生长；并且，压电半导体薄膜采用具还有呢？
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